1. Die Halbchip-Konfiguration ist ein weiteres Highlight des Moduls, was zu einem geringeren Abschattungseffekt und einem geringeren Risiko von Hotspots führt.Das bedeutet, dass die Module in sonnigen Umgebungen die Sonnenenergie effizienter einfangen und so die Stromerzeugung steigern können.Gleichzeitig verringert die Halbchip-Konfiguration auch das Risiko von Hotspots, wodurch das Modul im Einsatz sicherer und zuverlässiger wird.
2. Maximale Leistung bis zu 610 W+
Maximale Ausgangsleistung des Moduls bis zu 610 W+
3. Hohe Zuverlässigkeit
Ultra-Low-LID-Batterien haben eine höhere Ausgangsleistung und Komponenteneffizienz.Aufgrund seines hohen Füllfaktors kann es Sonnenlicht effektiver absorbieren und so die photoelektrische Umwandlungseffizienz der Batterie verbessern.Dies bedeutet, dass Ultra-Low-LID-Batterien bei gleichen Lichtverhältnissen mehr Strom erzeugen und die Stromerzeugung steigern können.
4.Ultra-niedriger Deckel
0,55 % jährliche Verschlechterung über 25 Jahre. Ebenso kann die Verwendung von PID-beständigen Batterien und Verpackungsmaterialien das Risiko einer Batterieverschlechterung während des Gebrauchs verringern.Diese Materialien können den Auswirkungen der potenzialinduzierten Degradation (PID) wirksam widerstehen und so die Lebensdauer der Batterie verlängern.
Ebenso kann die Verwendung von PID-beständigen Batterien und Verpackungsmaterialien das Risiko einer Batterieverschlechterung während des Gebrauchs verringern.Diese Materialien können den Auswirkungen der potenzialinduzierten Degradation (PID) wirksam widerstehen und so die Lebensdauer der Batterie verlängern.
Produktnummer | JAM78S30-585/GR | JAM78S30-590/GR | JAM78S30-595/GR | JAM78S30-600/GR | JAM78S30-605/GR | JAM78S30-610/GR |
Qualitätskontrolle | ||||||
Produktqualitätssicherung | 12 Jahre | |||||
Leistungsabgabe garantiert | 0,45 % jährliche Verschlechterung über 30 Jahre | |||||
Elektrische Leistungsparameter (STC) | ||||||
Spitzenleistung (Pmax) | 585 Wp | 590 Wp | 595 Wp | 600 Wp | 605 Wp | 610 Wp |
Spitzenbetriebsspannung (Vmpp) | 44,56 V | 44,8 V | 45,05 V | 45,3 V | 45,53 V | 45,77 V |
Spitzenbetriebsstrom (Impp) | 13,13 A | 13,17 A | 13,21 A | 13,25 A | 13,29 A | 13,33 A |
Leerlaufspannung (Voc) | 53,2 V | 53,3 V | 53,4 V | 53,5 V | 53,61 V | 53,73 V |
Kurzschlussstrom (Isc) | 13,88 A | 13,93 A | 13,98 A | 14.03 A | 14.08 A | 14.13 A |
Komponenteneffizienz | 20,90 % | 21,10 % | 21,30 % | 21,50 % | 21,60 % | 21,80 % |
Leistungsabweichung (positiv) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
Elektrische Leistungsparameter (NOCT) | ||||||
Spitzenleistung (Pmax) | 442 Wp | 446 Wp | 450 Wp | 454 Wp | 458 Wp | 462 Wp |
Spitzenbetriebsspannung (Vmpp) | 42,69 V | 42,82 V | 42,94 V | 43,07 V | 43,21 V | 43,34 V |
Spitzenbetriebsstrom (Impp) | 10,36 A | 10,42 A | 10,48 A | 10,54 A | 10,6 A | 10,66 A |
Leerlaufspannung (Voc) | 50,59 V | 50,72 V | 50,86 V | 51,01 V | 51,17 V | 51,33 V |
Kurzschlussstrom (Isc) | 11.07 A | 11,13 A | 11,19 A | 11,25 A | 11,3 A | 11,35 A |
maximale Dauertemperatur | 45 ± 2 °C | |||||
Temperatureigenschaften | ||||||
Betriebstemperatur | -40~85 °C | |||||
Temperaturkoeffizient (Pmax) | -0,35 %/°C | |||||
Temperaturkoeffizient (Voc) | -0,275 %/°C | |||||
Temperaturkoeffizient (Isc) | 0,045 %/°C | |||||
Systemintegrationsparameter | ||||||
Systemspannung | 1500 V | |||||
Nennstrom der Sicherung | 25 A | |||||
physikalische Parameter | ||||||
Bauteilgröße (Höhe/Breite/Dicke) | 2465x1134x35 mm | |||||
Gewicht | 30,5 kg | |||||
Zelltyp | Rückpassivierung | |||||
Zellmenge | 156 | |||||
Anzahl der Bypass-Dioden | 3 | |||||
Schutzklasse der Anschlussdose | IP 68 | |||||
Steckertyp | MC4 | |||||
Kabelquerschnitt | 4 mm2 | |||||
Kabellänge | 1500 mm |