Unsere Produkte basieren auf M10-Siliziumwafern, die sich optimal für sehr große Kraftwerke eignen. Wir setzen fortschrittliche Komponententechnologien ein, darunter galliumdotierte M10-Siliziumwafer, integrierte Segmentstreifen und 9-Busbar-Halbzellen. Diese Technologien ermöglichen uns eine überragende Komponenteneffizienz. Darüber hinaus haben sich unsere bifazialen Stromerzeugungskapazitäten weltweit bewährt und gewährleisten langfristige Zuverlässigkeit. Die hohe Qualität unserer Komponenten ist ein weiteres wesentliches Merkmal unserer Produkte und sichert langfristige und stabile Einnahmen aus der Stromerzeugung. Wir haben uns verpflichtet, unseren Kunden effiziente und zuverlässige Stromerzeugungslösungen und damit auch stabile Einnahmen aus der Stromerzeugung zu bieten.
Hohe Zuverlässigkeit: Unsere Produkte nutzen eine intelligente, rissfreie Schweißtechnologie, die die Leistung und Effizienz der Komponenten sowie deren Belastbarkeit verbessert. Der Betriebsstrom des Moduls beträgt ca. 13 A und ist damit optimal für gängige String-Wechselrichter geeignet. Unsere Gallium-Dotierungstechnologie minimiert die Lichtdämpfung der Komponenten und gewährleistet deren lange Lebensdauer sowie eine stabile Stromerzeugung. Die Stromerzeugung auf der Rückseite der übereinander angeordneten Module bietet eine höhere Gesamtleistung, was von Kunden und unabhängigen Dritten bestätigt wurde.
Extrem niedriger LID-Wert: Unsere Produkte weisen im ersten Jahr eine Leistungsdämpfung von 2 % und ab dem zweiten Jahr bis zum 30. Jahr jährlich nur noch 0,4 % auf. Dieses Design sichert unseren Endkunden langfristig stabile Stromerzeugungserträge. Unsere Anti-PID-Batterien und Verpackungsmaterialien reduzieren die Leistungsdämpfung effektiv und gewährleisten so die gleichbleibende Leistungsfähigkeit des Produkts.
| Produktnummer | LR5-72HBD-535M | LR5-72HBD-540M | LR5-72HBD-545M | LR5-72HBD-550M | LR5-72HBD-555M |
| Qualitätssicherung | 12 Jahre Garantie auf Material und Verarbeitung | ||||
| Produktqualitätssicherung | 30 Jahre Garantie auf die extralineare Ausgangsleistung | ||||
| Garantierte Ausgangsleistung | 2 % Degradation im ersten Jahr, 0,4 % jährliche Degradation im 2. bis 30. Jahr | ||||
| Elektrische Leistungsparameter (STC) | |||||
| Spitzenleistung (Pmax) | 535 Wp | 540 Wp | 545 Wp | 550 Wp | 555 Wp |
| Maximale Betriebsspannung (Vmpp) | 41,5 V | 41,65 V | 41,8 V | 41,95 V | 42,1 V |
| Maximaler Betriebsstrom (Impp) | 12.9 A | 12,97 A | 13.04 A | 13.12 A | 13.19 A |
| Leerlaufspannung (Voc) | 49,35 V | 49,5 V | 49,65 V | 49,8 V | 49,95 V |
| Kurzschlussstrom (Isc) | 13,78 A | 13,85 A | 13,92 A | 13,99 A | 14.05 A |
| Komponenteneffizienz | 20,70 % | 20,90 % | 21,10 % | 21,30 % | 21,50 % |
| Leistungsabweichung (positiv) | 3% | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Elektrische Leistungsparameter (NOCT) | |||||
| Spitzenleistung (Pmax) | 399,9 Wp | 403,6 Wp | 407,4 Wp | 411,1 Wp | 414,8 Wp |
| Maximale Betriebsspannung (Vmpp) | 38,7 V | 38,86 V | 39 V | 39,14 V | 39,28 V |
| Maximaler Betriebsstrom (Impp) | 10.33 A | 10.39 A | 10.45 A | 10.51 A | 10,56 A |
| Leerlaufspannung (Voc) | 46,4 V | 46,54 V | 46,68 V | 46,82 V | 46,97 V |
| Kurzschlussstrom (Isc) | 11.12 A | 11.17 A | 11.23 A | 11.29 A | 11.34 A |
| maximale Dauertemperatur | 45±2 °C | ||||
| Temperaturcharakteristik | |||||
| Betriebstemperatur | -40 bis 85 °C | ||||
| Temperaturkoeffizient (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Temperaturkoeffizient (Voc) | -0,265 %/°C | ||||
| Temperaturkoeffizient (Isc) | 0,05 %/°C | ||||
| Systemintegrationsparameter | |||||
| Systemspannung | 1500 V | ||||
| Nennstrom der Sicherung | 30 A | ||||
| physikalische Parameter | |||||
| Bauteilgröße (Höhe/Breite/Dicke) | 2278 x 1134 x 35 mm | ||||
| Gewicht | 32,6 kg | ||||
| Zelltyp | doppelseitig | ||||
| Zellspezifikation | 182 x 182 mm | ||||
| Zellenanzahl | 144 | ||||
| Glasart | Härten | ||||
| Glasdicke | 2 mm | ||||
| Rahmentyp | Eloxiertes Aluminium | ||||
| Anzahl der Bypass-Dioden | 3 | ||||
| Schutzklasse der Anschlussdose | IP 68 | ||||
| Kabelquerschnitt | 4 mm² | ||||
| Kabellänge | 1400 mm | ||||