1. PANDA 3.0-Module nutzen die branchenführende n-Typ-monokristalline TOPCon-Zelltechnologie. Dank hochwertiger Verkapselungsmaterialien und der klassischen Glasrückseitenstruktur eignen sich PANDA 3.0-Module optimal für raue Umgebungen und bieten Ihnen hohe Zuverlässigkeit und Qualitätssicherung.
2. Unsichtbares Lötband mit großem Winkel ermöglicht die Herstellung leistungsstarker und optisch ansprechender Bauteile.
Durch die Verwendung von kreisförmigen/dreieckigen Multi-Busbar-Bändern wird die optische Ausnutzung der Bandfläche von 5 % auf über 40 % erhöht; die auf Totalreflexion basierende „Weitwinkel-Band-Stealth-Technologie“ kann die Lichtverschmutzung innerhalb eines bestimmten Winkelbereichs reduzieren.
3. Hohe Zuverlässigkeit
Dieses Modul zeichnet sich zudem durch eine hervorragende Leistung bei schwachem Licht aus und liefert auch unter relativ schlechten Lichtverhältnissen eine stabile Leistung. Dies ist auf den Einsatz einer umfassenden Technologie zur Unterdrückung von lichtinduzierter Degradation (LID) und potenzialinduzierter Degradation (LeTID) zurückzuführen, welche die Energieverluste der Komponenten bei schwachem Licht effektiv reduziert und die Stromerzeugung weiter steigert.
4. Extrem niedriger Deckel
Dämpfung im ersten Jahr: 1 %, jährliche Dämpfung: 0,4 %. Bietet Endkunden langfristige und stabile Stromerzeugungserlöse. Geringere Degradation durch Anti-PID-Zellen und Verkapselungsmaterialien.
| Produktnummer | 550 | 555 | 560 | 565 | 570 | 575 |
| Qualitätssicherung | ||||||
| Produktqualitätssicherung | 12 Jahre | |||||
| Garantierte Ausgangsleistung | Die Wertminderung beträgt 0,55 % pro Jahr über einen Zeitraum von 25 Jahren. | |||||
| Elektrische Leistungsparameter (STC) | ||||||
| Spitzenleistung (Pmax) | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wp | 565 Wp | 570 Wp | 575 Wp |
| Maximale Betriebsspannung (Vmpp) | 41,57 V | 41,76 V | 41,94 V | 42,13 V | 42,29 V | 42,47 V |
| Maximaler Betriebsstrom (Impp) | 13.24 A | 13.30 A | 13.36 A | 13.42 A | 13.48 A | 13.54 A |
| Leerlaufspannung (Voc) | 50,26 V | 50,46 V | 50,66 V | 50,86 V | 51,06 V | 51,26 V |
| Kurzschlussstrom (Isc) | 13,89 A | 14.07 A | 14.14 A | 14.20 A | 14.26 A | 14.32 A |
| Komponenteneffizienz | 21,29 % | 21,48 % | 21,68 % | 21,87 % | 22,07 % | 22,26 % |
| Leistungsabweichung (positiv) | 1,50 % | 1,50 % | 1,50 % | 1,50 % | 1,50 % | 1,50 % |
| Elektrische Leistungsparameter (NOCT) | ||||||
| Spitzenleistung (Pmax) | 417,85 Wp | 421,67 Wp | 425,39 Wp | 429,24 Wp | 432,80 Wp | 436,57 Wp |
| Maximale Betriebsspannung (Vmpp) | 39,58 V | 39,77 V | 39,94 V | 40,12 V | 40,27 V | 40,44 V |
| Maximaler Betriebsstrom (Impp) | 10,56 A | 10.60 A | 10,65 A | 10,70 A | 10,75 A | 10,80 A |
| Leerlaufspannung (Voc) | 47,64 V | 47,83 V | 48,02 V | 48,21 V | 48,40 V | 48,59 V |
| Kurzschlussstrom (Isc) | 11.28 A | 11.34 A | 11.40 A | 11.45 A | 11.50 A | 11.55 A |
| maximale Dauertemperatur | 42±2 °C | |||||
| Temperaturcharakteristik | ||||||
| Betriebstemperatur | -40 bis 85 °C | |||||
| Temperaturkoeffizient (Pmax) | #NAME? | |||||
| Temperaturkoeffizient (Voc) | #NAME? | |||||
| Temperaturkoeffizient (Isc) | 0,046 %/°C | |||||
| Systemintegrationsparameter | ||||||
| Systemspannung | 1000 VDC / 1500 VDC | |||||
| Nennstrom der Sicherung | 30 A | |||||
| physikalische Parameter | ||||||
| Bauteilgröße (Höhe/Breite/Dicke) | 2278 x 1134 x 30 mm | |||||
| Gewicht | 32,0 kg | |||||
| Zelltyp | Monokristallines Silizium | |||||
| Zellspezifikation | 144 × 144 mm | |||||
| Zellenanzahl | 144 | |||||
| Glasart | Härten | |||||
| Glasdicke | 3,2 mm | |||||
| Rahmentyp | Eloxiertes Aluminium | |||||
| Schutzklasse der Anschlussdose | IP 68 | |||||
| Steckverbindertyp | MC4 | |||||
| Kabelquerschnitt | 4 mm2 | |||||
| Kabellänge | 1200 mm | |||||